士兰微:SiC项目进展佳 24 年业绩向好
【4 月 8 日午间,士兰微披露碳化硅项目最新进展】经过加快建设,士兰微第Ⅱ代 SiC 芯片生产线产能正在释放。同时,第Ⅳ代 SiC 芯片与模块已送样,预计今年将上量。2024 年,士兰微加快推进“士兰明镓 6 英寸 SiC 功率器件芯片生产线”项目建设。截至目前,士兰明镓已形成月产 9000 片 6 英寸 SiCMOS 芯片的生产能力。基于公司自主研发的Ⅱ代 SiC-MOSFET 芯片生产的电动汽车主电机驱动模块在 4 家国内汽车厂家累计出货量 5 万只,反映良好,随着 6 英寸 SiC 芯片生产线产能释放,已实现大批量生产和交付。目前,士兰微已完成第Ⅳ代平面栅 SiC-MOSFET 技术的开发,性能指标接近沟槽栅 SiC 器件的水平。第Ⅳ代 SiC 芯片与模块已送客户评测,基于第Ⅳ代 SiC 芯片的功率模块预计将于 2025 年上量。士兰微还加快推进“士兰集宏 8 英寸 SiC 功率器件芯片生产线”项目的建设。截至 2024 年底,士兰集宏 8 英寸 SiCminiline 已实现通线,公司Ⅱ代 SiC 芯片已在 8 英寸 miniline 上试流片,其参数与公司 6 英寸产品匹配,良品率明显高于 6 英寸。士兰集宏主厂房及其他建筑物已全面封顶,正在进行净化装修,预计将在 2025 年四季度实现全面通线并试生产,以赶上 2026 年车用 SiC 市场的快速成长。士兰微是国内少有的 IDM 半导体企业,2024 年公司电路和器件成品的销售收入中,超过 75%的收入来自大型白电、通讯、工业、新能源、汽车等高门槛市场。此前披露的业绩预告显示,士兰微预计 2024 年度实现归母净利润为 1.5 亿元到 1.9 亿元,将实现扭亏为盈;预计扣非后净利润 1.84 亿元到 2.24 亿元,与上年同期相比,同比增加 212.39%到 280.31%。士兰微表示,在国家政策支持及下游行业快速发展、芯片国产替代进程加快的背景下,将加快实施“一体化”战略,持续加大投入,拓展中高端市场,提升产品附加值和品牌力,推动公司整体营收成长和经营效益提升。
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